对比图
型号 IRF9335PBF SI6435ADQ-T1-E3 NTMD3P03R2G
描述 INFINEON IRF9335PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.4 A, -30 V, 48 mohm, -10 V, -1.8 VVISHAY SI6435ADQ-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -1 VON SEMICONDUCTOR NTMD3P03R2G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, SOIC
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 TSSOP SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.048 Ω 0.024 Ω 0.085 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 1.5 W 2 W
漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V 30 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.4A 4.70 A -3.05 A
热阻 - 120℃/W (RθJA) -
下降时间 15 ns 25 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定功率 2.5 W - -
阈值电压 1.8 V - 1.7 V
漏源击穿电压 30 V - 30 V
上升时间 19 ns - 16.0 ns
输入电容(Ciss) 386pF @25V(Vds) - 750pF @24V(Vds)
耗散功率(Max) 2500 mW - 2000 mW
额定电压(DC) - - -30.0 V
额定电流 - - -3.05 A
通道数 - - 2
额定功率(Max) - - 730 mW
长度 4.98 mm 4.5 mm 5 mm
高度 1.57 mm 1.05 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 TSSOP SOIC-8
宽度 3.99 mm - 4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Obsolete - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99