71016S20Y和IDT71016S20YG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71016S20Y IDT71016S20YG AS7C1026B-20JCN

描述 SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 20ns 44Pin SOJ Tube SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 64K x 16 20ns 44Pin ...CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)静态随机存取存储器 1M, 5V, 20ns FAST 64K x 16 Asynch 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOJ BSOJ-44 SOJ-44

引脚数 44 44 -

工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V

存取时间 - 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 5 V 5 V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - 4.50V (min) -

内存容量 - 125000 B -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 SOJ BSOJ-44 SOJ-44

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - 3A991 -

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