BF1201WR和BF2030W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1201WR BF2030W BF1201WR,115

描述 BF1201WR N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 LA 低固有电容/栅极电荷最小化BF2030W N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 ND 射频切换MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 4

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

长度 - - 2.2 mm

宽度 - - 1.35 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

频率 - - 400 MHz

额定电流 - - 30 mA

漏源极电压(Vds) - - 10 V

增益 - - 29 dB

测试电流 - - 15 mA

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

额定电压 - - 10 V

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