IXDN75N120和IXSN80N60BD1

对比图

型号 IXDN75N120 IXSN80N60BD1 STGE200NB60S

描述 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660000mW 4Pin SOT-227BTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 420000mW 4Pin SOT-227BSTMICROELECTRONICS  STGE200NB60S  单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Chassis - Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 150 A

额定功率 - - 600 W

针脚数 - - 4

极性 - - N-Channel

耗散功率 660000 mW 420000 mW 600 W

漏源极电压(Vds) - - 600 V

连续漏极电流(Ids) - - 200 A

上升时间 - - 112 ns

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 600 V

输入电容(Cies) 5.5nF @25V 6.6nF @25V 1.56nF @25V

额定功率(Max) 660 W 420 W 600 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 660000 mW 420000 mW 600000 mW

长度 - - 38.2 mm

宽度 - - 25.5 mm

高度 - - 9.1 mm

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99