对比图
型号 SIHG33N60E-GE3 STW34NM60ND STW34NM60N
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STW34NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.083 Ω 0.097 Ω 0.092 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 278 W 190 W 210 W
阈值电压 2 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 29A 29A
上升时间 60 ns 53.4 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 3508pF @100V(Vds) 2785pF @50V(Vds) 2722pF @100V(Vds)
额定功率(Max) - 210 W 210 W
下降时间 54 ns 61.8 ns 70 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 278000 mW 190W (Tc) 250W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 600 V -
长度 15.87 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 5.31 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.82 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
香港进出口证 NLR NLR -