2N6287G和JANTX2N6287

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6287G JANTX2N6287 2N6287

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N6287G  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 100 hFE 新PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  2N6287  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 2

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

额定电压(DC) -100 V - -100 V

额定电流 -20.0 A - -20.0 A

输出电压 100 V - -

输出电流 20 A - -

针脚数 2 - 2

极性 PNP, P-Channel - PNP, P-Channel

耗散功率 160 W 175 W 160 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 20A - -

最小电流放大倍数(hFE) 750 @10A, 3V 1250 @10A, 3V 750 @10A, 3V

最大电流放大倍数(hFE) 18000 - -

额定功率(Max) 160 W 175 W 160 W

直流电流增益(hFE) 100 - 750

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 160000 mW 175000 mW 160000 mW

输入电压 5 V - -

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - 26.2 mm

高度 8.51 mm - -

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Tray Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

军工级 - Yes -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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