DMN53D0LDW-13和DMN53D0LDW-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-7

描述 MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT3632个N沟道 50V 360mA

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-363 SOT-363

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 0.36A 0.36A

上升时间 2.5 ns 2.5 ns

正向电压(Max) 1.4 V -

输入电容(Ciss) 46pF @25V(Vds) 46pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 mW 310 mW

下降时间 11 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 310 mW

耗散功率 - 0.31 W

输入电容 - 46 pF

封装 SOT-363 SOT-363

长度 - 2.2 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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