对比图
型号 STF12N65M5 STF21N65M5 STF8N65M5
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STF21N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STF8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-5 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.39 Ω 0.15 Ω 0.56 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 30 W 25 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) - 17A 7A
输入电容(Ciss) 900pF @100V(Vds) 1950pF @100V(Vds) 690pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 25 W 30 W 25 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 25W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
上升时间 17.6 ns - 14 ns
下降时间 23.4 ns - 11 ns
通道数 1 - -
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 16.4 mm 16.4 mm -
封装 TO-220-5 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17