PSMN009-100P,127和PSMN015-100P

对比图

型号 PSMN009-100P,127 PSMN015-100P BUK7510-100B

描述 TO-220AB N-CH 100V 75AN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorMOS(场效应管)/BUK7510-100B 管装

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 75.0 A 110 A

耗散功率 230 W 300 W -

输入电容 - 4.90 nF -

栅电荷 - 90.0 nC -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75.0 A -

上升时间 - 65 ns -

输入电容(Ciss) 8250pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds) 6773pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 230 W 300 W 300 W

下降时间 - 50 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 230W (Tc) 300000 mW 300W (Tc)

漏源极电阻 7.5 Ω - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 3 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -