FDMS8670S和STL90N3LLH6

对比图

型号 FDMS8670S STL90N3LLH6 FDS7088SN3

描述 N沟道PowerTrench㈢ SyncFET TM N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TMN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics30V N沟道的PowerTrench剖SyncFET 30V N-Channel PowerTrench? SyncFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56-8 PowerVDFN-8 SOIC-8

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.0038 Ω 3.40 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 60 W 3W (Ta)

阈值电压 - 1.7 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 90A 21.0 A

上升时间 19 ns 30 ns 21.0 ns

输入电容(Ciss) 4000pF @15V(Vds) 1690pF @25V(Vds) 3230pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 60 W 1.7 W

下降时间 10 ns 12 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 60W (Tc) 3W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 42.0 A - 21.0 A

输入电容 4.00 nF - 3.23 nF

栅电荷 73.0 nC - 57.0 nC

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 6 mm 5 mm -

宽度 5 mm 6 mm -

高度 1.1 mm 0.78 mm -

封装 Power-56-8 PowerVDFN-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99