GS1K-TP和US1M-E3/5AT

对比图

型号 GS1K-TP US1M-E3/5AT S1M

描述 DIODE GEN PURP 800V 1A DO214ACVISHAY  US1M-E3/5AT.  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.7 V, 75 ns, 30 ARectifier Diode, 1Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2Pin

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Vishay Semiconductor (威世) Diotec Semiconductor

分类 TVS二极管功率二极管二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-214AC DO-214AC-2 SMA

正向电压 1.1V @1A 1.7V @1A 1.1 V

反向恢复时间 - 75 ns 1500 ns

正向电流 - 1 A 1000 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） - 30 A -

正向电压(Max) 1.1V @1A 1.7 V -

正向电流(Max) - 1 A 1 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

工作结温(Max) - 150 ℃ -

负载电流 - - 1 A

额定电压(DC) 800 V - -

额定电流 1.00 A - -

电容 15.0 pF - -

输出电流 ≤1.00 A - -

极性 Standard - -

热阻 15℃/W (RθJL) - -

长度 - 4.5 mm -

宽度 - 2.79 mm -

高度 - 2.09 mm -

封装 DO-214AC DO-214AC-2 SMA

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99