IRF9910和IRF9910PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9910 IRF9910PBF

描述 SOIC N-CH 20V 10A/12AHEXFET® 双 N 通道功率 MOSFET,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8

极性 N-CH Dual N-Channel

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 10A/12A 10A/12A

输入电容(Ciss) 900pF @10V(Vds) 900pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

额定功率 - 2 W

通道数 - 2

耗散功率 - 2 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

产品系列 - -

上升时间 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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