NT5SV16M16CS-6K和W9825G6EH-6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NT5SV16M16CS-6K W9825G6EH-6 NT5SV16M16CS-6KI

描述 PROGRAMMABLE BURST LENGTH: 1, 2, 4, 8 ,256Mb SYNCHRONOUS DRAMDDR DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54

数据手册 ---

制造商 Nanya (南亚) Winbond Electronics (华邦电子股份) Nanya (南亚)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 TSOP-2 TSOP-54 TSOP-2

封装 TSOP-2 TSOP-54 TSOP-2

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

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