AS4C2M32S-6BIN和AS4C2M32S-6BINTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C2M32S-6BIN AS4C2M32S-6BINTR MT48LC2M32B2B5-6A:J

描述 AS4C2M32S 系列 64 Mb (2 M x 32) 3.6 V 同步 DRAM (SDRAM) - TFBGA-90动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 2M x 32 S动态随机存取存储器Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, PLASTIC, VFBGA-90

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 90 90 90

封装 TFBGA-90 TFBGA-90 VFBGA-90

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

存取时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

时钟频率 166 MHz - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

位数 - - 32

封装 TFBGA-90 TFBGA-90 VFBGA-90

高度 - - 0.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 - -

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