AUIRFZ34N和IRFZ34NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFZ34N IRFZ34NPBF MTP36N06V

描述 INFINEON  AUIRFZ34N  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 0.04 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRFZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 55 V, 40 mohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 60V 32A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 32.0 A

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 68 W 68 W 90W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 29A 29A 32.0 A

上升时间 49 ns 49 ns 138 ns

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 68W (Tc) 68W (Tc) 90W (Tc)

额定功率 68 W 56 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.04 Ω 0.04 Ω -

阈值电压 2 V 4 V -

输入电容 - 700 pF -

反向恢复时间 - 57 ns -

正向电压(Max) - 1.6 V -

额定功率(Max) - 68 W -

下降时间 40 ns 40 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.75 mm 10.54 mm -

宽度 4.83 mm 4.4 mm -

高度 16.13 mm 8.77 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Rail, Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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