TS272ID和TS272IDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TS272ID TS272IDT TS272CD

描述 STMICROELECTRONICS  TS272ID  运算放大器, 双路, 3.5 MHz, 2个放大器, 5.5 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  TS272IDT  运算放大器, 双路, 3.5 MHz, 2个放大器, 5.5 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 16.0V (max) - 16.0V (max)

工作电压 3V ~ 16V - -

输出电流 45mA @10V 45mA @10V 45mA @10V

供电电流 1 mA 1 mA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 -

带宽 3.5 MHz 3.5 MHz 3.5 MHz

转换速率 5.50 V/μs 5.50 V/μs 5.50 V/μs

增益频宽积 3.5 MHz 3.5 MHz 3.5 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 10 mV 1.1 mV

输入偏置电流 1 pA 0.000001μA @10V 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 3.5 MHz - 3.5 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 16V 3V ~ 16V 3V ~ 16V

共模抑制比 - 65 dB 65 dB

电源电压(Max) - 16 V -

电源电压(Min) - 3 V -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.65 mm 1.65 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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