对比图
型号 BZD27C5V1P-E3-08 BZT52H-C5V1,115
描述 800mW，BZD27C 系列，Vishay SemiconductorNXP BZT52H-C5V1,115 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)
分类 齐纳二极管齐纳二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 2
封装 DO-219AB-2 SOD-123F
击穿电压 5.10 V -
针脚数 2 2
正向电压 1.2V @200mA 900mV @10mA
耗散功率 800 mW 375 mW
测试电流 100 mA 5 mA
稳压值 5.1 V 5.1 V
额定功率(Max) 800 mW 375 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 800 mW 830 mW
容差 - ±5 %
正向电压(Max) - 900mV @10mA
长度 2.9 mm 2.7 mm
宽度 1.9 mm 1.7 mm
高度 1.08 mm 1.2 mm
封装 DO-219AB-2 SOD-123F
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
温度系数 - -0.75 mV/K
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17