BFL4001和BFL4001-1E

对比图

型号 BFL4001 BFL4001-1E

描述 TO-220F-3FS N-CH 900V 4.1A 2.7ΩN沟道功率MOSFET,900V,6.5A,2.7Ω

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-5 TO-220-3

通道数 1 1

漏源极电阻 2.7 Ω 2.7 Ω

耗散功率 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

漏源击穿电压 900 V 900 V

上升时间 - 49 ns

输入电容(Ciss) 850pF @30V(Vds) 850pF @30V(Vds)

下降时间 - 52 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta), 37W (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc)

极性 N-CH -

阈值电压 4 V -

连续漏极电流(Ids) 4.1A -

封装 TO-220-5 TO-220-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free