对比图
型号 IRFL210 IRFL210PBF STN1N20
描述 MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223N - CHANNEL 200V - 1.2欧姆 - 1A - SOT- 223功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
引脚数 - - 4
耗散功率 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2.9 W
输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds) 206pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2.9W (Tc)
漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 1.00 A
漏源极电阻 - - 1.50 Ω
极性 - - N-Channel
漏源击穿电压 - - 200 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 1.00 A
上升时间 - - 6 ns
额定功率(Max) - - 2.9 W
下降时间 - - 5 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 3.5 mm
高度 - - 1.8 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube - Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC