BD238和BD238STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD238 BD238STU 2N4918G

描述 STMICROELECTRONICS  BD238  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 25 W, 2 A, 40 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD238STU  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 3 MHz, 25 W, -2 A, 25 hFEON SEMICONDUCTOR  2N4918G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) -100 V -80.0 V -40.0 V

额定电流 -2.00 A -2.00 A 1.00 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 25 W 25 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 40 V

集电极最大允许电流 - 2A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 2V 25 @1A, 2V 30 @500mA, 1V

额定功率(Max) 25 W 25 W 30 W

直流电流增益(hFE) 40 25 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW 30000 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

热阻 - - 4.16℃/W (RθJC)

最大电流放大倍数(hFE) - - 150

额定功率 25 W - -

增益频宽积 3 MHz - -

长度 7.8 mm 8 mm 7.74 mm

宽度 2.7 mm 3.25 mm -

高度 10.8 mm 11.2 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Rail Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2016/06/20

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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