对比图
描述 FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8Pin SOIC
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 7.00 A - 4.20 A
漏源极电阻 28.0 mΩ 0.026 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
输入电容 1.11 nF - -
栅电荷 23.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7A 7.00 A
上升时间 9 ns 2.6 ns 2.60 ns
输入电容(Ciss) 1107pF @30V(Vds) 1740pF @25V(Vds) 1740pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W - 2.5 W
下降时间 10 ns 13 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -
产品系列 - - IRF7478
额定功率 - 2.5 W -
通道数 - 1 -
阈值电压 - 3 V -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.5 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -