NTD110N02RT4G和SUD50N02-06-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD110N02RT4G SUD50N02-06-E3 STD17NF03LT4

描述 24V,110A功率MOSFETMOSFET N-CH 20V 30A TO252N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

引脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0041 Ω 9.00 mΩ 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 100 W 30 W

漏源击穿电压 24 V 20.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±12.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 110 A 30.0 A 17.0 A

额定电压(DC) 24.0 V - 30.0 V

额定电流 110 A - 17.0 A

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

阈值电压 1.5 V - 1.5 V

输入电容 3.44 nF - 320 pF

栅电荷 28.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 24 V - 30 V

上升时间 39 ns - 100 ns

输入电容(Ciss) 3440pF @20V(Vds) - 320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W - 30 W

下降时间 21 ns - 22 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.5W (Ta), 110W (Tc) - 30W (Tc)

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.38 mm - 2.4 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司