对比图
型号 APT5017BVRG IXFH30N50P STW26NM50
描述 TO-247 N-CH 500V 30AIXYS SEMICONDUCTOR IXFH30N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.2 Ω 0.12 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 370 W 460 W 313 W
阈值电压 - 5 V 4 V
输入电容 5.28 nF 4.15 nF -
栅电荷 300 nC 70.0 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A
上升时间 14 ns 24 ns 15 ns
反向恢复时间 - 200 ns -
输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 460 W 313 W
下降时间 11 ns 24 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 370000 mW 460W (Tc) 313W (Tc)
宽度 - 5.3 mm -
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2014/06/16
ECCN代码 - - EAR99