BSN20W和BSS123-7-F

对比图

型号 BSN20W BSS123-7-F BS170

描述 BSN20W N沟道MOSFET 50V 173mA/0.173A SOT-23/SC-59 marking/标记 8H0 甚高频应用三极管t- Mosfet n Chan Enhan

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) NTE Electronics

分类 MOS管分立器件

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 170 mA -

额定功率 - 0.3 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 6 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 300 mW -

阈值电压 - 1.4 V -

输入电容 - 60 pF -

漏源极电压(Vds) - 100 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 170 mA -

上升时间 - 8 ns -

输入电容(Ciss) - 60pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 300 mW -

下降时间 - 8 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

重量 - 0.0001279130568 kg -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -