对比图
型号 2N5339 JAN2N5339
描述 Trans GP BJT NPN 100V 5A 3Pin TO-39 BoxTrans Npn 100V 5A To39
数据手册 --
制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-39 TO-205
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V
最小电流放大倍数(hFE) - 60 @2A, 2V
额定功率(Max) - 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 6000 mW 1000 mW
耗散功率 6000 mW -
封装 TO-39 TO-205
材质 Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Active
包装方式 Box Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 -