对比图
型号 TN2640N3-G VP0550N3-G TN2540N3-G
描述 TO-92 N-CH 400V 0.22ATO-92P-CH 500V 0.054A晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 175 mA, 400 V, 8 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
额定功率 0.74 W 1 W 1 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 125 Ω 8 Ω
极性 N-CH P-CH N-CH
耗散功率 0.74 W 1 W 1 W
阈值电压 - - 2 V
漏源极电压(Vds) 400 V 500 V 400 V
连续漏极电流(Ids) 0.22A 0.054A 0.175A
上升时间 15 ns 8 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 225pF @25V(Vds) 70pF @25V(Vds) 125pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 5 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 740mW (Ta) 1W (Tc) 1W (Ta)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 500 V -
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
长度 5.21 mm 5.21 mm -
宽度 4.19 mm 4.19 mm -
高度 5.33 mm 5.33 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bag Bulk Bag
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅