IPI045N10N3G和IPI045N10N3GXKSA1

对比图

型号 IPI045N10N3G IPI045N10N3GXKSA1 IPI04CN10NG

描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-TransistorN沟道 100V 100AOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 - 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262

安装方式 Through Hole - Through Hole

额定功率 - 214 W -

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 214 W 300 W

漏源极电压(Vds) - 100 V -

连续漏极电流(Ids) - 100A -

上升时间 59 ns 59 ns -

输入电容(Ciss) - 6320pF @50V(Vds) -

下降时间 14 ns 14 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 214000 mW -

长度 - 10.2 mm -

宽度 - 4.5 mm -

高度 - 9.45 mm -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -