MMBV2109L和MMBV2109LT1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBV2109L MMBV2109LT1 MMBV2109LT1G

描述 Silicon Tuning DiodeMMBV2109LT1 变容二极管 SOT-23/SC-59 marking/标记 4J 调谐硅调谐二极管 Silicon Tuning Diodes

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 变容二极管变容二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

电容 - 33.0 pF 33.0 pF

击穿电压 - - 30.0 V

正向电流 - - 200 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

极性 - Standard -

耗散功率 - 225 mW -

封装 - SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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