对比图
型号 IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRRPBF IRL2203NSPBF
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 VD2PAK N-CH 30V 116AINFINEON IRL2203NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 116 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 116 A 116 A -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 170 W 170 W
产品系列 - IRL2203NS -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 116A 116 A 116A
上升时间 160 ns 160 ns 160 ns
输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds) 3290pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 3.8 W -
下降时间 66 ns 66 ns 66 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc)
额定功率 170 W - 170 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.007 Ω - 7 mΩ
阈值电压 3 V - 3 V
通道数 - - 1
输入电容 - - 3290pF @25V
漏源击穿电压 - - 30 V
长度 6.5 mm 6.5 mm 10.67 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 9.65 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active End of Life Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free