BC847CLT1G和BC847CTT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847CLT1G BC847CTT1G BCW71,215

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN SiliconNXP  BCW71,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 90 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-75-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 0.3 W 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 420 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 200 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 250 mW

额定功率 300 mW - -

针脚数 3 - 3

增益频宽积 100 MHz - -

直流电流增益(hFE) 420 - 90

长度 2.9 mm 1.6 mm -

宽度 1.3 mm 0.8 mm -

高度 0.94 mm 0.75 mm -

封装 SOT-23-3 SC-75-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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