BSO200N03S和NTMS7N03R2G

对比图

型号 BSO200N03S NTMS7N03R2G FDS4410

描述 OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor7A,30V功率MOSFET单N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrenchTM MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrenchTM MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 7.00 A 7.00 A 10.0 A

漏源极电阻 0.02 Ω 0.023 Ω 9.80 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.56 W 2.5 W 2.5 W

输入电容 840 pF - 1.34 nF

栅电荷 6.50 nC - 22.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.80 A 7.00 mA 10.0 A

上升时间 2.6 ns 71.0 ns 13.0 ns

输入电容(Ciss) 840pF @15V(Vds) 1190pF @25V(Vds) 1340pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W 800 mW 1 W

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 800mW (Ta) 2.5W (Ta)

阈值电压 1.6 V 1.6 V -

下降时间 2.6 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

针脚数 - 8 -

封装 PG-DSO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -