FDS6298和SI4686DY-T1-E3

对比图

型号 FDS6298 SI4686DY-T1-E3 IRF7413

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6298  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 7.4 mohm, 10 V, 1.7 VVISHAY  SI4686DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 13.0 A - 13.0 A

通道数 1 - -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0074 Ω 0.0078 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 5.2 W 2.5 W

阈值电压 1.7 V 3 V -

输入电容 1.11 nF - -

栅电荷 10.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30.0 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 18.2 A 13.0 A

上升时间 5 ns 20 ns 8.00 ns

输入电容(Ciss) 1108pF @15V(Vds) 1220pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1.2 W - -

下降时间 7 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3000 mW -

产品系列 - - IRF7413

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.75 mm 1.55 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -