对比图
型号 SIHG22N60E-E3 SPW20N60S5 SIHG22N60E-GE3
描述 VISHAY SIHG22N60E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 VINFINEON SPW20N60S5. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 VVISHAY SIHG22N60E-GE3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-247AC-3
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 1 - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.15 Ω 0.19 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 227 W 208 W 227 W
阈值电压 2 V 4.5 V 2 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
上升时间 68 ns 25 ns -
输入电容(Ciss) 1920pF @100V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 1920pF @10V(Vds)
下降时间 54 ns 30 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 227 W 208 W 227 W
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 20.0 A -
输入电容 - 3.00 nF -
栅电荷 - 103 nC -
连续漏极电流(Ids) - 20.0 A -
额定功率(Max) - 208 W -
工作结温(Max) - 150 ℃ -
长度 15.87 mm 15.9 mm 15.87 mm
宽度 5.31 mm 5.3 mm 5.31 mm
高度 20.7 mm 20.95 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 - Not Recommended for New Design -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99