BC850BW和BC850CLT1G

对比图

型号 BC850BW BC850CLT1G BC850B

描述 NXP  BC850BW  晶体管 双极-射频, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE 新ON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFETransistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SOT-23-3 SOT-23

频率 - 100 MHz 300 MHz

耗散功率 200 mW 225 mW 0.25 W

增益频宽积 - - 100 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 250 mW

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN -

直流电流增益(hFE) 450 420 -

额定电压(DC) - 45.0 V -

额定电流 - 100 mA -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 225 mW -

封装 SOT-323 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -