对比图
型号 IXFH21N50 SIHG460B-GE3 IRFP460PBF
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH21N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VVISHAY SIHG460B-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 VMOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.2 Ω 0.27 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 278 W 280 W
阈值电压 4 V 2 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 33 ns 31 ns 59 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 3094pF @10V(Vds) 4200pF @25V(Vds)
下降时间 30 ns 56 ns 58 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 278 W 280 W
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 21.0 A - 20.0 A
额定功率 300 W - 280 W
连续漏极电流(Ids) 21.0 A - 20.0 A
额定功率(Max) 300 W - -
输入电容 - - 4200pF @25V
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 - 15.87 mm 15.87 mm
宽度 - 5.31 mm 5.31 mm
高度 - 20.82 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - -
包装方式 Tube Bulk Tube
产品生命周期 Active - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -