BAS21E6327HTSA1和BAS21LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS21E6327HTSA1 BAS21LT1G BAS21,215

描述 Infineon 二极管 BAS21E6327HTSA1 开关, Io=625mA, Vrev=200V, 50ns, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT1G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mANXP  BAS21,215  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 小信号二极管小信号二极管小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

电容 5.00 pF 5.00 pF -

额定功率 350 mW - -

输出电流 ≤250 mA ≤200 mA -

击穿电压 250 V - -

负载电流 0.25 A 0.2 A -

针脚数 3 3 3

正向电压 1.25 V 1.25 V 1.25V @200mA

极性 Standard Standard -

耗散功率 350 mW 385 mW -

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 250 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 1 A 625 mA 9 A

正向电压(Max) 1 V 1.25 V 1.25 V

正向电流(Max) 250 mA 200 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温 150℃ (Max) - 150℃ (Max)

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 250 mW

额定电流 - 200 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

热阻 - 417℃/W (RθJA) 500℃/W (RθJA)

工作结温(Max) - 150 ℃ -

长度 2.9 mm 3.04 mm 3 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 1 mm 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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