STP11NK50ZFP和STP8NM50FP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP11NK50ZFP STP8NM50FP FQPF13N50T

描述 STMICROELECTRONICS  STP11NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 VN沟道550V @ TJMAX - 0.7ヘ - 8A - TO- 220 - TO- 220FP MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ Tjmax - 0.7ヘ - 8A - TO-220 - TO-220FP MDmesh⑩ Power MOSFETN沟道MOSFET QFET N-Channel QFET MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - 550 V 500 V

额定电流 - 8.00 A 12.5 A

漏源极电阻 0.52 Ω 800 mΩ 430 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 25W (Tc) 56 W

漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 550 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 8.00 A 12.5 A

输入电容(Ciss) 1390pF @25V(Vds) 415pF @25V(Vds) 2300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 30 W 25 W 56 W

耗散功率(Max) 30000 mW 25W (Tc) 56W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

阈值电压 3.75 V - -

输入电容 1390 pF 415 pF -

上升时间 18 ns 8 ns -

下降时间 15 ns 6 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

栅电荷 - 13.0 nC -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 9.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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