对比图
描述 ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFETN沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 - -
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.052 Ω 1.50 Ω 55 mΩ
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 127 W 48W (Tc) 37.5 W
漏源极电压(Vds) 100 V 700 V 30 V
漏源击穿电压 - 700 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 3.50 A 20A
上升时间 195 ns - 8 ns
下降时间 110 ns - 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 65 ℃
额定电压(DC) - 700 V -
额定电流 - 3.50 A -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
输入电容(Ciss) 1150pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 127 W 48 W -
耗散功率(Max) 127 W 48W (Tc) -
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - -
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 4.83 mm - 4.7 mm
高度 9.4 mm - 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Rail, Tube Tube Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -