RN55C1003BB14和RN55C1003FB14

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN55C1003BB14 RN55C1003FB14

描述 VISHAY  RN55C1003BB14  金属膜电阻, 100KΩ 100mW, 0.1%VISHAY  RN55C1003FB14  金属膜电阻, 100KΩ, 100mW, 1%

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 插件电阻插件电阻

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 Axial Leaded Axial Leaded

容差 ±0.1 % ±1 %

额定功率 125 mW 125 mW

电阻 100 kΩ 100 kΩ

阻值偏差 ±0.1 % ±1 %

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 200 V 200 V

长度 7.37 mm 7.06 mm

封装 Axial Leaded Axial Leaded

温度系数 ±50 ppm/℃ ±50 ppm/℃

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台