对比图
型号 FDG6303N SI1900DL-T1-E3 FDG6313N
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6303N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 500 mA, 25 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 800 mVTRANSISTOR 590mA, 30V, 2Channel, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6Pin, FET General Purpose Small SignalFDG6313N 复合场效应管 25V 500mA/0.5A SOT-363/SC70-6 marking/标记 33h
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V
额定电流 500 mA - 500 mA
针脚数 6 - -
漏源极电阻 0.34 Ω 0.7 Ω 340 mΩ
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 300 mW 0.27 W 300 mW
阈值电压 800 mV - -
输入电容 50.0 pF - 50.0 pF
栅电荷 340 pC - 1.64 nC
漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 25 V
漏源击穿电压 25.0 V 30 V 25.0 V
栅源击穿电压 8.00 V ±20.0 V 8.00 V
连续漏极电流(Ids) 500 mA 630 mA 500 mA
上升时间 8.5 ns - 8.50 ns
输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) - 50pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 270 mW 300 mW
下降时间 13 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 0.3 W - -
热阻 - 400℃/W (RθJA) -
长度 2 mm 2.2 mm -
宽度 1.25 mm 1.25 mm -
高度 1 mm 1 mm -
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -