对比图
描述 700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-251-3
额定电压(DC) 700 V -
额定电流 6.20 A -
漏源极电阻 1.50 Ω 2.8 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 142 W 45 W
漏源极电压(Vds) 700 V 500 V
漏源击穿电压 700 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.20 A 1.15 A
上升时间 70 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 142 W -
下降时间 50 ns 14 ns
耗散功率(Max) 142W (Tc) 45W (Tc)
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
通道数 - 1
针脚数 - 3
阈值电压 - 3.75 V
封装 TO-220-3 TO-251-3
长度 - 6.6 mm
宽度 - 2.4 mm
高度 - 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -