FQP6N70和STD3NK50Z-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP6N70 STD3NK50Z-1

描述 700V N沟道MOSFET 700V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD3NK50Z-1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-251-3

额定电压(DC) 700 V -

额定电流 6.20 A -

漏源极电阻 1.50 Ω 2.8 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 142 W 45 W

漏源极电压(Vds) 700 V 500 V

漏源击穿电压 700 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.20 A 1.15 A

上升时间 70 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 142 W -

下降时间 50 ns 14 ns

耗散功率(Max) 142W (Tc) 45W (Tc)

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

通道数 - 1

针脚数 - 3

阈值电压 - 3.75 V

封装 TO-220-3 TO-251-3

长度 - 6.6 mm

宽度 - 2.4 mm

高度 - 6.2 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -

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