MMUN2113LT1和MMUN2114LT1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2113LT1 MMUN2114LT1 MMUN2114LT1G

描述 PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORMMUN2114LT1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 140 0.4W/400mW SOT-23/SC-59 标记A6D 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路ON SEMICONDUCTOR  MMUN2114LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 246 mW 246 mW 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 246 mW 246 mW 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW 400 mW

最大电流放大倍数(hFE) 80 80 -

长度 2.9 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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