MSD42WT1和MSD42WT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSD42WT1 MSD42WT1G PMSTA42,115

描述 NPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage TransistorsNPN硅通用高压晶体管 NPN Silicon General Purpose High Voltage TransistorsSC-70 NPN 300V 0.1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323-3

额定电压(DC) 300 V 300 V -

额定电流 150 mA 150 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 450 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.15A 0.15A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) - 40 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 150 mW 200 mW

频率 - - 50 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 25 @1mA, 10V

长度 - 2.1 mm -

宽度 - 1.24 mm 1.35 mm

高度 - 0.85 mm -

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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