UCC27325DR和UCC37325D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UCC27325DR UCC37325D UCC27325D

描述 双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers双4 -A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 DUAL 4-A PEAK HIGH SPEED LOW-SIDE POWER MOSFET DRIVERSMOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 4.00V (min) 4.00V (min)

上升/下降时间 20ns, 15ns 20ns, 15ns 20ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 - 4 A -

耗散功率 1.14 W 1140 mW 1.14 W

上升时间 40 ns 23 ns 40 ns

下降时间 40 ns 23 ns 40 ns

下降时间(Max) 40 ns 40 ns 40 ns

上升时间(Max) 40 ns 40 ns 40 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1140 mW 1140 mW 1140 mW

电源电压 4.5V ~ 15V 4V ~ 15V 4.5V ~ 15V

电源电压(Max) - 15 V 15 V

电源电压(Min) - 4 V 4 V

输出电流(Max) 4.5 A - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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