SI3850ADV-T1-E3和SI3850ADV-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3850ADV-T1-E3 SI3850ADV-T1-GE3 FDC6327C

描述 MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOPMOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOPFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6327C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.9 A, 20 V, 0.069 ohm, 4.5 V, 900 mV

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

额定功率(Max) 1.08 W 1.08 W 700 mW

连续漏极电流(Ids) 1.40 A - 2.70 A, 1.90 A

额定电流 - - 2.70 A

针脚数 - - 6

漏源极电阻 - - 0.069 Ω

耗散功率 - - 960 mW

阈值电压 - - 900 mV

输入电容 - - 315 pF

栅电荷 - - 2.85 nC

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

上升时间 - - 14.0 ns

输入电容(Ciss) - - 325pF @10V(Vds)

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 0.96 W

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.7 mm

高度 - - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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