对比图
型号 FQB8P10TM IRF5210STRLPBF IRF5210STRRPBF
描述 Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RP沟道,-100V,-38A,60mΩ@10VTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 530 mΩ 0.06 Ω -
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 3.75 W 3.1 W 3.1 W
产品系列 - IRF5210S -
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A -40.0 A -40.0 A
输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.75 W 3.1 W 3.1 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
额定电压(DC) -100 V - -
额定电流 -8.00 A - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
上升时间 110 ns - -
下降时间 35 ns - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 65W (Tc) - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
高度 4.83 mm - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -
ECCN代码 EAR99 - -