对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR BD788G. 双极性晶体管, PNP -60V TO-225NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管塑料互补硅功率晶体管 Complementary Plastic Silicon Power Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3
频率 50 MHz 3 MHz -
额定电压(DC) -60.0 V 100 V -60.0 V
额定电流 -4.00 A 6.00 A -4.00 A
针脚数 3 3 -
极性 PNP NPN PNP
耗散功率 15 W 65 W -
增益频宽积 - 3 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 100 V 60 V
热阻 - 1.67℃/W (RθJC) -
集电极最大允许电流 4A 6A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @200mA, 3V 15 @3A, 4V 40 @200mA, 3V
额定功率(Max) 15 W 2 W 15 W
直流电流增益(hFE) 40 3 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 15000 mW 2000 mW 15 W
最大电流放大倍数(hFE) - - 250
长度 7.74 mm 10.28 mm -
宽度 2.66 mm 4.83 mm -
高度 11.04 mm 15.75 mm -
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Tube Bulk
最小包装 - - 500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -