对比图
型号 IRFP22N50APBF IXFR24N50Q STW23NM50N
描述 N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247STMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 - 1 -
耗散功率 277 W 250 W 125 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 94 ns 30 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 3450pF @25V(Vds) 3900pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 277 W 250 W 125 W
下降时间 47 ns 16 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 277 W 250W (Tc) 125W (Tc)
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.23 Ω - 0.162 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 4 V - 3 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
额定电压(DC) 500 V - -
额定电流 22.0 A - -
额定功率 277 W - -
连续漏极电流(Ids) 22.0 A - -
长度 15.87 mm 16.13 mm 15.75 mm
宽度 5.31 mm 5.21 mm 5.15 mm
高度 20.7 mm 21.34 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 500 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99