对比图
描述 QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道功率MOSFET N-Channel Power MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 -
封装 TO-3-3 TO-3-3
安装方式 Through Hole Through Hole
耗散功率 375 W 6 W
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V
上升时间 760 ns 760 ns
输入电容(Ciss) 8700pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 375 W -
下降时间 410 ns 410 ns
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 375000 mW 375W (Tc)
极性 N-Channel N-CH
连续漏极电流(Ids) 90.0 A 90A
额定电压(DC) 150 V -
额定电流 90.0 A -
漏源极电阻 0.018 Ω -
阈值电压 4 V -
漏源击穿电压 150 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V -
封装 TO-3-3 TO-3-3
长度 15.8 mm -
宽度 5 mm -
高度 18.9 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -