对比图
型号 IPB030N08N3GATMA1 IRFS3107-7PPBF
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB030N08N3GATMA1, 160 A, Vds=80 V, 7引脚 D2PAK (TO-263)封装INFINEON IRFS3107-7PPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 75 V, 2.1 mohm, 20 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7
封装 TO-263-7 TO-263-7
通道数 1 1
针脚数 - 7
漏源极电阻 0.0025 Ω 0.0021 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 214 W 370 W
阈值电压 2.8 V 4 V
漏源极电压(Vds) 80 V 75 V
漏源击穿电压 - 75 V
连续漏极电流(Ids) 160A 260A
上升时间 79 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 6100pF @40V(Vds) 9200pF @50V(Vds)
下降时间 14 ns 64 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 214000 mW 370W (Tc)
额定功率 214 W -
输入电容 6100 pF -
长度 10 mm 10.67 mm
宽度 9.25 mm 9.65 mm
高度 4.57 mm 4.83 mm
封装 TO-263-7 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -